Производители памяти понимают, что каждый день промедления заставляет разработчиков графических процессоров искать новых партнеров, способных как можно скорее выводить на рынок передовую память HBM. Из-за этого они всеми силами стараются как можно быстрее разрабатывать новые стандарты и отгружать опытные образцы крупнейшим партнерам.
Samsung смогла опередить конкурентов ещё в прошлом месяце, сообщив об успешной отгрузке первой партии передовых стеков HBM4E. И вот, спустя три недели с того момента, на связь выходит вторая южнокорейская компания в лице SK hynix, которая тоже отгрузила первую опытную партию своим избранным партнерам, а заодно рассказала про характеристики.
Память включает в себя 12 слоев объемом 48 Гбайт, работает со скоростью 16 Гбит/c на контакт, предлагает 20% повышение энергоэффективности и на 17% меньшее тепловое сопротивление. Улучшить отвод тепла получилось при помощи технологии MR-MUF, подразумевающей новый метод заливки пространства между слоями. В будущем, с приходом HBM5, компания перейдет на более эффективное решение iHBM.